Metaller, bileşikler, vb. Gibi buharlaşan maddeler potaya yerleştirilir veya buharlaşma kaynağı olarak sıcak tel üzerine asılır ve metal, seramik, plastik vb. Gibi kaplama yapılacak substratlar, potanın önüne yerleştirilir. Sistem yüksek bir vakuma pompalandıktan sonra, malzeme pota ısıtılarak buharlaştırılır. Buharlaştırılmış malzemenin atomları veya molekülleri, substratın yüzeyi üzerinde yoğunlaştırılmış bir şekilde biriktirilir. Film kalınlığı yüzlerce angstromdan birkaç mikrona kadar değişebilir. Film kalınlığı, buharlaşma hızı ve buharlaşma kaynağının (veya şarj miktarına bağlı olarak) süresi ile belirlenir ve kaynak ile substrat arasındaki mesafe ile ilgilidir. Geniş alan kaplaması için, film tabakasının tekdüzeliğini sağlamak için genellikle dönen substrat veya çoklu buharlaşma kaynakları kullanılır. Buharlaşma kaynağından substrata olan mesafe, artık gazdaki buhar moleküllerinin ortalama serbest yolundan daha az olmalıdır, böylece buhar molekülleri kimyasal reaksiyonlara neden olacak şekilde artık gaz molekülleriyle çarpışmaz. Buhar moleküllerinin ortalama kinetik enerjisi yaklaşık 0.1-0.2 elektron voltudur.
Metaller, bileşikler, vb. Gibi buharlaşan maddeler potaya yerleştirilir veya buharlaşma kaynağı olarak sıcak tel üzerine asılır ve metal, seramik, plastik vb. Gibi kaplama yapılacak substratlar, potanın önüne yerleştirilir. Sistem yüksek bir vakuma pompalandıktan sonra, malzeme pota ısıtılarak buharlaştırılır. Buharlaştırılmış malzemenin atomları veya molekülleri, substratın yüzeyi üzerinde yoğunlaştırılmış bir şekilde biriktirilir. Film kalınlığı yüzlerce angstromdan birkaç mikrona kadar değişebilir. Film kalınlığı, buharlaşma hızı ve buharlaşma kaynağının (veya şarj miktarına bağlı olarak) süresi ile belirlenir ve kaynak ile substrat arasındaki mesafe ile ilgilidir. Geniş alan kaplaması için, film tabakasının tekdüzeliğini sağlamak için genellikle dönen substrat veya çoklu buharlaşma kaynakları kullanılır. Buharlaşma kaynağından substrata olan mesafe, artık gazdaki buhar moleküllerinin ortalama serbest yolundan daha az olmalıdır, böylece buhar molekülleri kimyasal reaksiyonlara neden olacak şekilde artık gaz molekülleriyle çarpışmaz. Buhar moleküllerinin ortalama kinetik enerjisi yaklaşık 0.1-0.2 elektron voltudur.
Üç tip buharlaşma kaynağı vardır. (1) Dirençli ısıtma kaynağı: Tungsten veya tantal gibi bir refrakter metal, elektrik akımı ile ısıtılan, üstünde ısıtılan veya bir potaya yerleştirilen bir tekne folyosu veya bir filaman oluşturmak için kullanılır (Şekil 1 [Buharlaştırma şematik diyagramı kaplama teçhizatı]). Kaynak esas olarak Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni ve diğer materyalleri buharlaştırmak için kullanılır. 2 Yüksek Frekans İndüksiyon Isıtma Kaynağı: Helyum ve buharlaştırılmış malzemeleri ısıtmak için yüksek frekanslı indüksiyon akımı kullanın. 3 Elektron ışını ısıtma kaynağı: Yüksek buharlaşma sıcaklığına (2000'den (618-1) daha az olmayan), yani malzemenin buharlaşması için elektron ışınıyla bombardımana tutulan malzemeler için uygundur.